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与此同时，我们测试并通过硅纳米线上和Cy5标记的TCO Tz的之间的生物正交结扎，随后通过使用DTT（图2E和图S3和S4）二硫化物断开验证TZ-接枝硅纳米线的制备。 Cy5的荧光团通过一个TCO与Tz的偶联反应（图2F）接枝到硅纳米线，导致对处理的TZ-接枝硅纳米线（图2G和图S3A）检测到强荧光信号。与此相反，TZ-接枝平坦Si衬底（没有纳米结构）呈弱荧光Cy5标记的TCO处理（图S3B）后，显示出较少Tz的基序和比硅纳米线的较小的表面积。此外，由于缺乏对Cy5标记TCO处理NH2-硅纳米线（图S3C）荧光证实了生物正交点击化学的特异性。露出的Cy5接枝硅纳米线，以DTT为诱导二硫键裂解和荧光团的释放从硅纳米线的一系列的温育时间，从而在荧光（图2H）快速降低用Cy5的90％荧光团从基板12内分离分（图S4）。这些荧光数据都确认TZ-嫁接硅纳米线的成功筹备和展示CTC捕获和释放来自硅纳米线的可行性。

詹妮弗有五个人要为他们提供医疗保险，她决定加入空军预备队。每个月钻一个周末，她就可以自由地做妈妈，管理家务和生意，下班回家后和丈夫一起烤面包。她还差几个小时就拿到心理学学士学位，这让她在与客户打交道时有了洞察力。

X射线光电子能谱（XPS）来表征并确认硅纳米线接口（图2，B到d，而图S1）的逐步修饰。观察到对于HS-硅纳米线（图2，B及C）从所述硫醇S组2S的两个新的特征峰和2p电子，这表明初始硅烷化反应是成功的。与二硫化物接头OPSS-PEG-NH 2处理HS-硅纳米线之后，一个新的Nls电子峰中观察到（图2，B和d），这证实了接头末端胺基团的存在。当孵育H2N-硅纳米线与Tz的磺基-NHS酯中，N 1s峰的强度显着增加，这与Tz的基序中的氮含量是一致的。在将C 1s和N 1S区域去卷积的X射线光电子谱的进一步分析证实硅纳米线的表面上（见图S2）上的接合结构。

11）本报告详细介绍了主要表现区域及其主要国家。

干燥过程和设备可能有很多影响材料干燥方式的变量。图2显示了干燥剂烘干机的许多关键功能，这也是工艺出错的机会。然而，从材料的角度来看，影响材料干燥效果的关键因素是时间、温度、露点、气流速度、颗粒尺寸和材料初始含水量。用所有这些因素来完成一个能源部需要花费太长的时间和大量的努力。